Tektronix TIVP系列 光隔離探頭
簡要描述:Tektronix TIVP系列 光隔離探頭 發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™ 探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基準電壓上提供精確的差分測量。
- 產(chǎn)品型號:IsoVu
- 廠商性質:經(jīng)銷商
- 更新時間:2023-06-20
- 訪 問 量:1157
Tektronix TIVP系列 光隔離探頭
IsoVu 光隔離探頭
發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™ 探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的 IsoVu Generation 2 設計,您能獲得 IsoVu 技術的所有優(yōu)勢,但大小僅為原來探頭尺寸的 1/5。
IsoVu Gen 2 探頭憑借多功能 MMCX 連接器以及的帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合,為隔離探頭技術設定新的標準。
什么是隔離探頭?
隔離探頭使用電(光學)或 RF 隔離將探頭的參考電壓與示波器的參考電壓(通常接地)隔離。這使電源設計人員能夠在存在大共模電壓的情況下準確解析高帶寬、高電壓的差分信號。泰克已開發(fā)出一項新技術 (IsoVu),該技術使用電隔離在高帶寬內(nèi)提供同類探頭最佳的共模抑制性能。
與用于測量高壓信號的高帶寬傳統(tǒng)差分探頭相比,隔離性和高頻性相結合的 IsoVu 探頭為電源設計人員提供更精確的測量結果。應用案例包括:
開關模式電源設計
寬禁帶 GaN 和 SiC 設備的功率 FET 設計/分析
逆變器設計
電機驅動設計
BCI 或 ESD 測量
電流分流器測量
更低共模噪聲,更多詳細信息
IsoVu 技術采用光纖供電和光模擬信號路徑,以在測量系統(tǒng)和 DUT 之間實現(xiàn)*的電隔離。由于支持探頭在共模電壓下獨立浮動,隔離可大大降低共模干擾。
與 4、5 或 6 系列 MSO 相結合,IsoVu 提供一種高效、可靠的方式解決快速參考轉換的高帶寬差分信號,從而使您能夠花費更少的時間進行各種“盲目設計"工作:
電源中的浮動測量
通過分流電阻測量電流
調試 ESD 和 EMI 敏感性問題
斷開接地回路
帶寬范圍內(nèi)的高差分電壓
對于傳統(tǒng)差分探頭,您必須在高帶寬和高電壓之間做出選擇。IsoVu 探頭采用屏蔽同軸電纜和隔離功能,提供高帶寬和 ±2500V 的差分電壓范圍。
第二代IsoVu TIVP探頭提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的一系列帶寬,以適合您的預算并構建具有特定項目所需性能的工作平臺。
Tektronix TIVP系列 光隔離探頭采用節(jié)省空間設計的創(chuàng)新技術
第二代IsoVu探頭提供與我們的原始 IsoVu 探頭相同的帶寬、共模抑制性能和電壓范圍,但尺寸僅為其 1/5,且去除單獨的控制器盒。緊湊的探頭和示波器連接器中含激光器和模擬電子技術。較之原始 IsoVu 探頭,第二代光隔離探頭還具有:
DC 增益精度更佳
更好的階躍響應特性
更多內(nèi)置量程
連接簡單,性能更高
IsoVu 探頭端部具有一系列可提供高性能和可及性的連接件和附件。
例如,MMCX 連接器是經(jīng)濟的、可廣泛使用的連接器,可提供穩(wěn)定的免手持的測試點,并提供最佳的帶寬和共模抑制。其堅固的金屬主體屏蔽中心導線,并程度地減小接地環(huán)路面積,從而將干擾降至低。
其他附件也可用于使探頭端部適應多種連接方式。對于需要大于 ±250V 差分電壓的應用,還可另外提供 0.100 " 和 0.200 " 間距的方針端部。
不使用探頭時,傳感器探頭在探頭 SMA 連接器處具有 1MΩ 和 50Ω 可切換終端。此功能可以有效地向任何兼容示波器添加隔離通道。
型號:Tektronix TIVP系列 IsoVu 光隔離探頭
型號 | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電纜長度 |
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TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 |
TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 |
TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 |
TIVP05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 |
TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 |
TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 |